nce4080,nce4080k参数代换,40v80a,KND3404B场效应管-KIA MOS管

漏源击穿电压（Vdss）：40V连续漏极电流（Id）：80A栅源电压（Vgs）：±20V（典型值）导通电阻（Rds(on)）：<7mΩ@Vgs=10V

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www.kiaic.com/article/detail/6315.html         2026-04-09

nce3050k参数代换,​50n03场效应管,KIA50N03BD批发-KIA MOS管

漏源电压（Vdss）：30V连续漏极电流（ld，25C时）：50A栅源阈值电压（Vgs(th))：3V@250μA漏源导通电阻（Rds(on)）：11 mΩ@25A,10V

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www.kiaic.com/article/detail/6313.html         2026-04-08

nce01p18,nce01p18k参数代换,KIA35P10AD现货特价-KIA MOS管

nce01p18k参数：漏源电压（Vdss）：100V。连续漏极电流（Id）：18A（25℃时）。导通电阻（Rds(on))：100mΩ（典型值@Vgs=10V,Id=16A）。

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www.kiaic.com/article/detail/6312.html         2026-04-08

ss34,ss34二极管参数,ss34代换型号-KIA MOS管

SS34是一款贴片肖特基二极管，具有40V反向耐压、3A正向电流、500mV@3A低正向压降，封装类型为DO-214AB（SMC），表面贴装双引脚设计；封装尺寸：约7.11×6.22mm（兼容SMA/SMB封装）。

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www.kiaic.com/article/detail/6218.html         2026-02-09

dh100p20,​pmos-100v-28a,KPD7910A场效应管替代-KIA MOS管

dh100p20替代型号KPD7910A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，采用先进的高密度沟槽技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 60mΩ，超低栅电荷，降低功率损耗，提高系统效率；开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，稳定可靠；广泛应用于电动车...

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www.kiaic.com/article/detail/6150.html         2026-01-07

逆变器mos,400v10a场效应管,irf740代换,KNP6140A-KIA MOS管

KNP6140A场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，采用专有的新平面技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 0.35Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅电荷，最小化开关损耗，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效...

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www.kiaic.com/article/detail/6058.html         2025-11-25

ao3400场效应管参数,KIA3400场效应管代换-KIA MOS管

ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频...

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www.kiaic.com/article/detail/6026.html         2025-11-11

7n65场效应管代换,650v7a,​KND4665B参数现货-KIA MOS管

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7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及具备良好的导电性能；极低导通电阻RDS(开启) 1.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可...

www.kiaic.com/article/detail/6016.html         2025-11-05

4n65场效应管参数,650v4a,to252,KND4365A代换-KIA MOS管

4n65场效应管代换型号KND4365A漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2Ω，最大限度地减少导电损耗，有效降低损耗，提高电路效率；还具有快速切换能力、经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应，能够在高频率下稳定工作，性能...

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www.kiaic.com/article/detail/6013.html         2025-11-04

逆变器mos,irfp064参数代换,60v100a场效应管,KNM3206B-KIA MOS管

irfp064场效应管代换型号KNM3206B?漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进平面工艺制造，高密度单元设计实现极低导通电阻RDS(on) 7.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；环氧树脂通过UL 94 V-0阻燃认证、无卤素，稳定可靠?...

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www.kiaic.com/article/detail/5890.html         2025-08-27

irf3205场效应管代换,60v110a,​KNP3106N参数资料-KIA MOS管

irf3205场效应管代换型号KNP3106N?漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的性能，?能够实现快速切换，提高系统效率，经过100%雪崩测试，保证了器件的稳定性和可靠性，改进的...

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www.kiaic.com/article/detail/5884.html         2025-08-25

7n80场效应管代换,7a800v,​KIA7N80HF参数现货-KIA MOS管

7n80场效应管代换型号?KIA7N80HF漏源击穿电压800V，漏极电流7A，采用先进的平面条状DMOS技术制造，?RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，低栅极电荷27nC，最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能；?具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能...

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www.kiaic.com/article/detail/5804.html         2025-07-21

47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管

47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源...

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www.kiaic.com/article/detail/5789.html         2025-07-14

适配器电源mos管,840场效应管参数,KIA840SP代换-KIA MOS管

irf840场效应管?代换型号?KIA840SP漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷，减少损耗；?开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试、符合RoHS，稳定环保；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，性能优越；广泛应用...

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www.kiaic.com/article/detail/5786.html         2025-07-11